张福生，博士，副教授，齐鲁工业大学（山东省科学院）。主要从事宽禁带半导体以及超宽禁带（SiC、GaN、AlN等）半导体材料的生长、加工以及缺陷研究工作。具备自主设计和搭建高温PVT法单晶生长炉的能力，并能通过模拟计算内部温场分布和生长流场状态。主持参与项目：国家重点基础研究发展计划（973计划）项目2项，国家高技术研究发展计划（863计划）项目1项，国家自然科学基金项目1项。发表SCI和EI学术论文14篇，申请国家发明专利17项，授权14项。获得河北省“三三三人才工程”第三层次人选。