屠海令 教授级高级工程师
职称:教授级高级工程师
专业类别:纳米材料
所在单位:智能传感功能材料国家重点实验室
研究方向:
长期从事硅、化合物半导体晶体生长,稀土半导体、硅基半导体材料制备;半导体材料中杂质与缺陷行为,界面、表面物理化学;半导体材料与器件性能关系,纳米半导体材料、高k材料和红外光学材料等方面研究。研究课题包括半导体单晶生长中的传质、传热过程,硅外延生长动力学,半导体材料中的缺陷与杂质,半导体材料表面物理化学,三元系化合物半导体晶格动力学,稀土半导体材料结构相变,锗硅半导体材料的制备技术,纳米半导体材料制备及性能评价,高k栅介质材料缺陷及界面稳定性研究,红外光学材料制备及性能研究,半导体材料检测技术等。
1969年毕业于天津大学;1983年获英国巴斯大学固体物理学博士学位;1994年11月-1995年7月美国北卡罗莱纳州立大学高级访问学者。2007年当选为中国工程院院士。现任北京有色金属研究总院名誉院长。
中国科学技术协会常务委员会委员,中国材料研究学会副理事长,中国有色金属学会副理事长、中国稀土学会副理事长、中国半导体行业协会副理事长。
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