王茂俊 副教授
职称:副教授
专业类别:材料化学
所在单位:北京大学
研究方向:
主要从事基于GaN的第三代宽禁带半导体电子器件的研究,研究方向包括GaN基射频微波器件以及电力电子功率开关器件的器件物理和工艺。
在国际物理及器件期刊,如IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics上发表学术论文40多篇,多次在氮化物材料和器件相关的国际会议,如ICNS,IWN,TWHM, ISPSD以及IEDM上作报告。主持或参与了国家自然科学基金青年、面上、重点项目,以及国家重大专项、重点研发计划等科研项目。
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