徐现刚 教授
职称:教授
专业类别:行业专家
所在单位:山东大学晶体材料研究所
研究方向:
一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料(包括As,P,Sb和氮化物)的生长及器件应用工作,制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格、2DEG,多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等,应用到多种半导体器件如:半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等。
1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位,师从于蒋民华院士。2000年留美回国-至今,获教育部第一批长江计划的特聘教授,2000年度国家杰出青年科学基金获得者,973首席科学家,主要从事半导体材料制备及其应用研究的工作。
自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料(包括As,P,Sb和氮化物)的生长及器件应用工作,制备出多种量子异质结构材料如量子阱、超晶格、2DEG,多种薄膜材料如AlGaAs、AlGaInP、InGaAsP、AlInGaN、GaAsSb、InGaSb等,应用到多种半导体器件如:半导体激光器、发光二极管、HBT、HEMT等。积极响应国家号召,践行产学研结合,服务地方服务山东,把科技创新的成果产业化;自2000年开始SiC单晶生长和加工工作,先后突破了2英寸6H-SiC、3英寸以上的4H-SiC等的单晶生长技术,解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题,制备出基于SiC衬底的GaN超高亮度发光二极管。先后承担了多项863、973、国家重大专项等课题。
获得多项表彰和奖励,如1995年洪堡学者,1998年获得由IEE颁发的Electronics Letters Premium,1999年在美国获得由IEEE颁发的Best Paper Award,2000年获得“国家杰出青年基金”,2003年“山东省科技进步一等奖”、“山东省留学回国创业奖”,2005年获“山东省十大杰出青年”,2007年获“政府特殊津贴奖”,2013年获得“山东省技术发明一等奖”等。任国务院学位委员会委员、国家863计划半导体照明工程总体专家组专家等等。至今已经发表超过150篇相关论文及会议报告。
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