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邱晨光
邱晨光 特聘研究员
职称:特聘研究员
专业类别:碳材料
所在单位:北京大学
研究方向:
低维电子学;拟态神经电子器件与系统集成;陡峭亚阈值摆幅超低功耗器件

教育与工作经历

2011年于西安电子科技大学取得微电子专业学士学位,2016年于北京大学取得物理电子学专业博士学位,2016-2019年在北京大学电子学系从事博士后研究,2019年起入职北京大学电子学院任研究员。

研究成果

北京大学电子学院研究员,“博雅青年学者”。国家基金委“优青”(2021)、国家重点研发计划青年首席科学家(2021)。从事纳米电子器件方面研究,在Nature, Science, Nature Electronics, Nature Nanotechnology, ACS Nano, Nano Letters, IEDM等顶级国际期刊和会议上发表论文;以第一作者和通讯作者在《科学》上发表论文两篇,在《自然》上发表论文一篇。2017年Science论文“5纳米栅长碳纳米管晶体管”入选ESI高被引用论文和热点论文,入选中国高校十大科技进展,中国100篇国际高影响论文。2018年Science论文“狄拉克冷源晶体管”首次在国际上提出并实现冷源亚60超低功耗新器件机制,拓宽了超低功耗器件领域范围,入选全国科创中心重大标志性原创成果。2023年Nature论文“弹道InSe晶体管”研制出世界上迄今弹道率最高、速度最快、功耗最低的二维晶体管,性能超过硅基极限。

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