主要从事宽禁带半导体氮化物单晶材料的生长、加工和性能研究，以及SEM、EDS和背散射电子衍射（EBSD）测试技术的研究工作，特别是在GaN晶体材料领域取得了一系列原创性成果。提出了一种通过晶体取向数据分析单晶应力的方法，拓展了EBSD在化合物半导体晶体材料的结构、缺陷和应力分析领域的应用；设计了多种新型缓冲衬底实现了GaN单晶中缺陷和应力的控制，掌握了高质量GaN单晶生长关键技术，主持国家级项目1项，参与国家和省级项目5项，2019年获山东省重点扶持区域引进急需紧缺人才项目支持。发表SCI收录学术论文70余篇，其中第一作者或通讯作者的SCI收录论文13篇。解决了相关技术从实验室走向企业的关键问题，提高了GaN单晶生长与衬底加工的技术成熟度，作为主要骨干成员在GaN单晶衬底技术实现产业转化过程中起到重要作用。