本人长期从事SiC功率器件设计、制备、测试及可靠性分析相关工作。目前已主持或参与国家自然科学基金、国家重点研发计划、陕西省重点研发计划、中兴产学研项目等多项纵横向项目，并负责开发了1.2kV、3.3kV、5kV和6.7kV SiC功率肖特基二极管及650V-1700V SiC MOSFET器件，拥有丰富的器件设计及测试经验。以第一作者或通讯作者在IEEE electron device letters、IEEE transactions on electron devices、Carbon、Solid-state electronics、Journal of crystal growth、Chinese physics B等期刊发表论文10余篇，申请专利20余项。目前担任IEEE transactions on electron devices、Thin solid films等期刊审稿人。