段瑞飞 副研究员
职称:副研究员
专业类别:新型陶瓷
所在单位:中国科学院半导体研究所
研究方向:
化合物半导体外延以及其在氮化物LED等光电子器件中的应用,涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生长III-V族化合物,主要包括氮化物的同质衬底、LED外延材料以及LED器件制备等领域。
1975年6月出生。1997年于内蒙古大学物理系获得理学学士学位,2000年于北京科技大学材料物理系获得工学硕士学位,2003年于中国科学院半导体研究所获得工学博士学位。2003-2005年在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。2005年4月至今在半导体所工作。
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