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张进成
张进成 教授
职称:教授
专业类别:材料化学
所在单位:西安电子科技大学
研究方向:
宽禁带半导体(GaN)器件、材料与设备 微波毫米波太赫兹集成电路与工艺 超宽禁带半导体(金刚石、氧化镓、氮化铝)器件、材料与设备 石墨烯及二维半导体器件与材料 柔性新能源与可穿戴器件

博士,二级教授,博士生导师,教育部长江学者特聘教授,国家万人计划领军人才,卓越青年基金获得者,国务院政府特殊津贴专家,陕西省三秦学者特聘教授。现任西安电子科技大学校长助理、宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任、宽带半导体技术国家级重点实验室副主任,曾担任ICNS、DRIP、APWS等国际学术会议电子器件分会主席,微电子学院副院长。主要研究领域为宽禁带与超宽禁带半导体材料与器件,发表SCI论文300余篇,出版专著3部,授权发明专利80余项,成果6次被国际著名杂志Semiconductor Today专题报道。获得国家技术发明二等奖2项(排名第一和第二),省部级科技一等奖4项以及国家教学成果一等奖1项

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