1.第三代半导体碳化硅(SiC)器件及芯片的结构设计、可靠性及应用技术的研究； （以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、 新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点将发挥重要作用。） 2.硅基光电集成电路的研究及产品研发 （现阶段研发的重点方向包括：高速低噪声光电探测器IC、高速光耦、先进的光电传感器工艺开发、激光雷达单片关键工艺及核心芯片）